IXFR32N80P【PDF 5/5 页】MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247

收藏本站

您好，
买卖IC网欢迎您。
请登录
免费注册

买卖IC网

Sheet目录457

1页 2页 3页 4页 [5页]

IXFR 32N80P

Fig. 13. M axim um Trans ie nt The rm al Re s is tance

1.000

0.100

0.010

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

相关代理商/技术参数

IXFR32N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFR34N80 功能描述:MOSFET 800V 28A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFR36N50P 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFR36N60P 功能描述:MOSFET 600V 20A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFR38N80Q2 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.24 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFR38N80Q2_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

IXFR40N50Q2 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFR40N50Q2_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

我
采购
搜索
会员

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式